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多种封装方式的选择

嵌入式芯片封装是众多集成电路（IC）封装类型中的一种。基本上，IC封装可分为三大类：引线框架封装、晶圆级封装（WLP）和基板级封装。

第i一类：引线框架封装。用于模拟和其他市场的引线框架封装系列涉及多种封装类型，如方形扁平无引脚封装（QFN）和方型扁平式封装（QFP）。引线框架是金属框架，裸片贴装在框架上，用细引线连接。

这项技术有对电热管理有利。Gerbier继续解释：“这与正在进行的如TSV的3D堆叠解决方案没什么不同。裸片排列更紧凑，这样互连会更短。当在嵌入式技术上进行互连工艺时，就是在pad的顶部构建了布线层。多种封装方式的选择嵌入式芯片封装是众多集成电路（IC）封装类型中的一种。因此当创建通孔或连接点与pad连接，我发现一种无需焊料就可以实现互连的方法，这就是copper-to-copper。从可靠性的角度来看，如果材料匹配，就不会有太多问题。”

在SESUB中，通用的配置是4层基板的嵌入式封装，有些也会开发2层、5层或6层的基板。

该技术对于输入输出（I/O）数量的理想数值是400。line/space的规范是大于等于10μm。pad尺寸为80μm，pad间的间距为120μm。经过细化处理后，可以堆叠多达十个芯片来创建高容量的SD存储卡。Gerbeir说：“到2018年和2019年，pad尺寸有望会降为30μm，间距降为50μm。”

与此同时，ASE提供了自主研发的名为“***嵌入式有源系统集成（aEASI）”的嵌入式芯片技术。在近些年的生产过程中，aEASI专为高功率应用提供服务。这是将引线框架和基板技术混合使用的封装技术。

其他选择

2008年，欧洲成立了将致力于嵌入式芯片技术商业化的联盟。AT&S公司实现了ECP技术的商业化。

AT&S的Drofenik和Vorarberger解释道：“ECP使用有机层压基板中的空间来嵌入有源（芯片）或无源元器件。电容器和电阻器的厚度薄且采用铜布线，已经开发成功，而压敏电阻和热敏电阻还在开发中。”

MEMS也可以集成到封装中。与SESUB一样，ECP也使用板级的方式进行处理。通常情况下，IC会被封装在电路板上，但这样有时会占用系统中宝贵的电路板空间。Drofenik和Vorarberger说：“嵌入式工艺可分为三个主要步骤：元器件组装（***结构、形成空腔、贴保护层）、层压（树脂填充，去保护层）、以及结构化（激光钻孔、电子测试）。”